4月27日晚間，露笑科技披露了2019年年度報(bào)告，共實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入24.52億元，凈利潤(rùn)3616.99萬(wàn)元，公司傳統(tǒng)工業(yè)制造、光伏發(fā)電等板塊業(yè)務(wù)發(fā)展向好。同時(shí)，公司發(fā)布了2020年一季度報(bào)告，實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)8067.30萬(wàn)元，凈利潤(rùn)保持增長(zhǎng)勢(shì)頭。
露笑科技董秘李陳濤向《證券日?qǐng)?bào)》記者表示：“隨著公司資產(chǎn)結(jié)構(gòu)得到改善，產(chǎn)業(yè)布局進(jìn)一步優(yōu)化，運(yùn)營(yíng)效率與質(zhì)量不斷提高。公司在新的宏觀和產(chǎn)業(yè)形勢(shì)下積極轉(zhuǎn)型升級(jí)，將繼續(xù)逐步推進(jìn)實(shí)施‘傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)+新型產(chǎn)業(yè)’雙輪驅(qū)動(dòng)的發(fā)展戰(zhàn)略。”
在發(fā)展新型產(chǎn)業(yè)上，露笑科技同時(shí)把長(zhǎng)遠(yuǎn)目光投向了碳化硅業(yè)務(wù)。4月13日，露笑科技發(fā)布了定增預(yù)案，擬非公開(kāi)發(fā)行股份總數(shù)不超過(guò)4.53億股，集資金總額不超過(guò)10億元用于新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、碳化硅研發(fā)中心項(xiàng)目等。
光伏電站發(fā)電業(yè)務(wù)成為利潤(rùn)核心
2019年，露笑科技將順宇潔能科技有限公司的優(yōu)質(zhì)電站發(fā)電業(yè)務(wù)并入上市公司體系。2019年露笑科技光伏發(fā)電業(yè)務(wù)營(yíng)收達(dá)到6.14億元，占總營(yíng)收比重超過(guò)25%。
據(jù)悉，近日國(guó)家能源局正式發(fā)布了《關(guān)于2020年風(fēng)電、光伏發(fā)電項(xiàng)目建設(shè)有關(guān)事項(xiàng)的通知》、《關(guān)于2020年光伏發(fā)電上網(wǎng)電價(jià)政策有關(guān)事項(xiàng)的通知》，明確2020年全年光伏補(bǔ)貼為15億元，其中戶用光伏補(bǔ)貼5億元，占比達(dá)三分之一，覆蓋的戶用項(xiàng)目總規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)6至7GW，此外，政策明確今年戶用光伏補(bǔ)貼為0.08元/kWh。
有業(yè)內(nèi)人士指出，雖然戶用補(bǔ)貼0.08元/度看起比之前的下降了不少，但結(jié)合現(xiàn)在投資光伏電站安裝成本的大幅下降，即便是只有8分錢(qián)的補(bǔ)貼，收益率和以前比相差的并不多。
“目前順宇潔能儲(chǔ)備的光伏電站項(xiàng)目主要分布在北京、河北、山西、內(nèi)蒙古、山東、遼寧等地，建設(shè)成本低、光照時(shí)間充足、收益較好、區(qū)域優(yōu)勢(shì)明顯。另外，順宇旗下電站大都在2018年6月30日之前并網(wǎng)，成本優(yōu)勢(shì)明顯。”李陳濤向《證券日?qǐng)?bào)》記者介紹稱，“在宏觀政策和新技術(shù)發(fā)展的加持下，光伏發(fā)展前景依舊被看好。順宇潔能在項(xiàng)目投資、建設(shè)、運(yùn)營(yíng)方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)，目前也成為了公司新的利潤(rùn)核心，未來(lái)公司將繼續(xù)穩(wěn)步推進(jìn)光伏電站發(fā)電業(yè)務(wù)。”
碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目完善產(chǎn)業(yè)鏈
露笑科技非公開(kāi)發(fā)行預(yù)案顯示，募投項(xiàng)目“新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”擬投入6.5億元，生產(chǎn)碳化硅襯底片等產(chǎn)品，以滿足國(guó)內(nèi)外快速增長(zhǎng)的4英寸、6英寸及以上尺寸級(jí)別的碳化硅襯底片市場(chǎng)需求。該項(xiàng)目產(chǎn)品具有尺寸大、更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力，將促進(jìn)襯底片質(zhì)量與成品率水平的提升。
“雖然碳化硅被外界一直看好，但是碳化硅價(jià)格高出硅基數(shù)倍的價(jià)格，在應(yīng)用到商業(yè)環(huán)境中時(shí)受限。根本原因是碳化硅晶體價(jià)格過(guò)于昂貴，目前碳化硅4英寸的高達(dá)5000元，而6英寸的價(jià)格更要8000元左右，是同面積硅基材料的幾十倍。”李陳濤向《證券日?qǐng)?bào)》記者表示，碳化硅性能優(yōu)異，在特色光電、功率半導(dǎo)體、射頻等場(chǎng)景都具有廣泛應(yīng)用，不過(guò)目前制約碳化硅產(chǎn)品快速向市場(chǎng)滲透的主要障礙還是在原材料碳化硅襯底片供給方面的問(wèn)題。
“無(wú)論是PVT法，LPE法，還是HTCVD法，都存在長(zhǎng)晶速度慢，產(chǎn)能小等問(wèn)題。PVT法下72小時(shí)只能生長(zhǎng)20mm厚度不到晶錠，一次僅能切割10片都不到，所以碳化硅片價(jià)格極其昂貴。”有行業(yè)分析師向記者證實(shí)稱，碳化硅片昂貴的主要原因是缺乏高效的晶體制備技術(shù)，“誰(shuí)能真正更快的解決此類(lèi)問(wèn)題，將能極大的搶占市場(chǎng)，成為真正的行業(yè)龍頭。”
值得一提的是，在露笑科技與中科鋼研節(jié)能科技有限公司、國(guó)宏中宇科技發(fā)展有限公司開(kāi)展的戰(zhàn)略合作中，目前露笑科技生產(chǎn)的首批2臺(tái)套升華法碳化硅長(zhǎng)晶爐已經(jīng)完成設(shè)備性能驗(yàn)收交付使用，經(jīng)過(guò)優(yōu)化后的碳化硅長(zhǎng)晶爐設(shè)備將應(yīng)用于國(guó)宏中宇主導(dǎo)的碳化硅產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目中。
李陳濤向記者表示：“新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目完成后，公司將形成長(zhǎng)晶爐制造與襯底片生產(chǎn)的完整產(chǎn)業(yè)鏈，初步完成在碳化硅產(chǎn)業(yè)的布局，碳化硅襯底片有望成為公司新的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)點(diǎn)，公司盈利能力將進(jìn)一步增強(qiáng)。碳化硅研發(fā)中心的建設(shè)有助于加強(qiáng)公司在碳化硅方面的基礎(chǔ)研究以及新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)能力，有利于提高產(chǎn)品附加值，打造核心競(jìng)爭(zhēng)力。”
碳化硅海量應(yīng)用市場(chǎng)打開(kāi)想象空間
隨著物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車(chē)、人工智能等市場(chǎng)逐步崛起，5G商用進(jìn)程不斷加快，技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈下游應(yīng)用場(chǎng)景的多樣化。“在半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化的趨勢(shì)下，碳化硅器件國(guó)產(chǎn)替代是大勢(shì)所趨，國(guó)家政策對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)支持力度也會(huì)加大。”李陳濤提到。
根據(jù)產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)Yole的相關(guān)預(yù)測(cè)，碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)值到2024年將達(dá)到19.3億美元，該市場(chǎng)在2018年到2024年之間的年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)到29%，而汽車(chē)市場(chǎng)無(wú)疑是最重要的驅(qū)動(dòng)因素，在2024年汽車(chē)應(yīng)用約占總市場(chǎng)比重的50%。
前述行業(yè)分析師向記者介紹稱：“目前最受人關(guān)注的是在電動(dòng)汽車(chē)的電驅(qū)系統(tǒng)控制單元PCU上的應(yīng)用，傳統(tǒng)PCU使用普通硅基半導(dǎo)體制成，但是目前越來(lái)越多的電動(dòng)汽車(chē)廠家，包括豐田，特斯拉等公司開(kāi)始使用碳化硅SBD和MOSFET來(lái)替代硅基，目前全用碳化硅器件可降低車(chē)輛10%的總能量損耗，同時(shí)可降低PCU80%的體積，使得車(chē)輛更為緊湊輕巧，社會(huì)經(jīng)濟(jì)效益十分明顯。因此碳化硅基取代硅基功率器件是未來(lái)電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)發(fā)展的必然趨勢(shì)。”
記者獲悉，在新款ModelS以及ModelX上面，特斯拉已為其搭載了全新的電驅(qū)動(dòng)體系，引入了永磁同步電機(jī)、碳化硅電子元件;國(guó)內(nèi)的新能源汽車(chē)龍頭比亞迪，也開(kāi)始使用碳化硅功率器件。
露笑科技方面表示，公司將繼續(xù)專(zhuān)注第三代半導(dǎo)體晶體產(chǎn)業(yè)，拓展碳化硅在5GGaN-on-SiCHEMT、SiCSBD、SiCMOSFET、SiCIGBT等元器件芯片方面的應(yīng)用，生產(chǎn)4-6英寸半絕緣片以及4H晶體N型導(dǎo)電碳化硅襯底片及其他產(chǎn)品制品。(記者 吳文婧)
